BSP149H6327XTSA1
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
Infineon Technologies
系列
SIPMOS
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
660mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.8 欧姆 @ 660mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 400μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
14 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
430 pF @ 25 V
FET 功能
耗尽模式
功率耗散（最大值）
1.8W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-SOT223-4
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
基本产品编号
BSP149
MB90F543GSPFR-GE1
R5F70855AD80FPV
B59052D1090A040
