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BSM10GD120D价格
参考价格：￥274.6967
型号：BSM10GD120DN2 品牌：INFINEON 备注：这里有BSM10GD120D多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，BSM10GD120D批发/采购报价，BSM10GD120D行情走势销售排行榜，BSM10GD120D报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
BSM10GD120DN2 文件：308.883 Kbytes Page：10 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   | |
Powermodule 文件：306.71 Kbytes Page：10 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
Powermodule 文件：306.71 Kbytes Page：10 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
封装/外壳：模块 包装：散装 描述：IGBT MODULE 1200V 15A 80W 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
封装/外壳：模块 包装：散装 描述：LOW POWER ECONO AG-ECONO2A-211 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
BSM10GD120D产品属性
- 类型
描述
- 型号
BSM10GD120D
- 功能描述
IGBT 模块 1200V 10A FL BRIDGE
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
IGBT Silicon Modules
- 配置
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流
230 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
445 W
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
34MM
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
欧派克 |
100 |
原装现货,价格优惠 |
|||||
Infineon Technologies |
23+ |
Module |
1262 |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
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eupec |
1950+ |
980 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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EUPEC |
23+ |
DIP-28 |
18000 |
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EUPEC |
23+ |
6IGBT10A1200 |
9960 |
价格优势、原装现货、客户至上。欢迎广大客户来电查询 |
|||
EUPEC/欧派克 |
22+ |
NA |
1120 |
中国航天工业部战略合作伙伴行业领导者 |
|||
EUPEC |
6000 |
面议 |
19 |
 专营模块 |
|||
EUPEC |
23+ |
模块 |
3562 |
||||
INFINEON |
23+ |
IGBT |
1500 |
全新原装现货，价格优势 |
|||
原厂 |
2023+ |
模块 |
600 |
专营模块,继电器,公司原装现货 |
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BSM10GD120D规格书下载地址
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2020-3-18BSM100GB120DN2K
深圳好佳好科技有限公司 电话：0755-82559658 QQ：1728142002
2019-10-17
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