位置：首页 > IC中文资料第2924页 > BSM100GB120DN2F_E3256
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Infineon |  |   | ||
Infineon |  | | ||
Infineon |  | | ||
INFINEON/英飞凌 | | | ||
INFINEON/英飞凌 | | | ||
INFINEON/英飞凌 | | | ||
INFINEON/英飞凌 | | |
BSM100GB120DN2F_E3256产品属性
- 类型
描述
- 型号
BSM100GB120DN2F_E3256
- 功能描述
IGBT 模块 IGBT 1200V 100A
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
IGBT Silicon Modules
- 配置
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流
230 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
445 W
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
34MM
更新时间：2024-5-16 15:29:02
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
infineon |
16+ |
原厂封装 |
10000 |
全新原装正品,代理优势渠道供应,欢迎来电咨询 |
|||
2016+ |
模块 |
985 |
只做原装现货!或订货! |
||||
INFINEON/英飞凌 |
2021+ |
45000 |
十年专营原装现货,假一赔十 |
||||
Infineon |
16+ |
MODULE |
2100 |
公司大量全新现货 随时可以发货 |
|||
Infineon |
22+ |
原厂封装 |
5000 |
原厂原装现货,订货价格优势,终端BOM表可配单提供样 |
|||
SIEMENS |
23+ |
模块 |
400 |
价格优势、原装现货、客户至上。欢迎广大客户来电查询 |
|||
EUPEC |
23+ |
模块 |
900 |
全新原装正品,量大可订货!可开17%增值票!价格优势! |
|||
Infineon |
2305+ |
原厂封装 |
5000 |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83272944邹小姐 |
|||
EUPEC |
23+ |
模块 |
3562 |
||||
INFINEON
|
10+ |
主营模块 |
500 |
原装正品,绝对正品,现货供应 |
BSM100GB120DN2F_E3256芯片相关品牌
BSM100GB120DN2F_E3256规格书下载地址
BSM100GB120DN2F_E3256参数引脚图相关
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- c901
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- c3055
- c3000
- c2073
- c20001
- c2000
- c188
- c1209
- c1008
- c1000
- bul128a
- bul128
- bu406
- BSN18-M
- BSN18-C
- BSN18
- BSN14-M
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- BSM40
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- BSM151
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- BSM10GD120DN2E3224
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- BSM101AR
- BSM101
- BSM100GT170DL
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- BSM100GB170DN2_E3256 C
- BSM100GB170DN2
- BSM100GB170DLC
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2020-3-18BSM100GB120DN2K
深圳好佳好科技有限公司 电话：0755-82559658 QQ：1728142002
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2019-8-6
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