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BSD3C051V

丝印代码:05B;Microprocessor based equipment

Features Bidirectional configurations Solid-state silicon-avalanche technology Low clamping voltage Low leakage current IEC 61000-4-2 ±30kV contact ±30kV air IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns) IEC 61000-4-5 (Lightning) 16A (8/20μs) 350Watts peak pulse power (tp = 8/20μs)

UMW

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知名厂家

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静电抑制二极管

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伯恩斯

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更新时间:2026-3-12 9:39:00
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