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BSD3C031V

Microprocessor based equipment

Features 480Watts peak pulse power (tp =8/20μs) Bidirectional configurations Solid-state silicon-avalanche technology Low clamping voltage Low leakage current IEC 61000-4-2 ±30kV contact ±30kV air IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns) IEC 61000-4-5 (Lightning) 20A(8/20μs)

UMW

友台半导体

BSD3C031V

静电抑制二极管

Bourns

伯恩斯

更新时间:2025-12-16 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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