型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

N 沟道功率 MOSFET

INFINEON

英飞凌

OptiMOS3 Power-Transistor

文件:468.02 Kbytes Page:10 Pages

INFINEON

英飞凌

BSC440N10NS产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BSC440N10NS

  • 功能描述

    MOSFET N-KANAL POWER MOS

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-3-11 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBsemi
21+
QFN8
10026
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
INFINEON/英飞凌
22+
TDSON-8
100000
代理渠道/只做原装/可含税
INFINEON/英飞凌
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TDSON8
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Infineon/英飞凌
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原装正品公司现货,假一赔十!
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只做原装,质量保证

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