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MOSFET OptiMOSTMFD Power-Transistor, 250 V

Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM) • Very low on-resistance RDS(on) • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Halogen-free according to IEC61249-2-21 • Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification • 175°C rated Product Vali

Infineon

英飞凌

采用 SuperSO8 封装的 OptiMOS™ 175°C 功率 MOSFET

Infineon

英飞凌

封装/外壳:8-PowerTDFN 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:MOSFET N-CH 250V TSON-8 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

Infineon

英飞凌

更新时间:2026-1-3 11:20:00
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