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丝印代码:265N10LS;OptiMOS?? Power-Transistor

Features • N-channel, logic level • Very low gate charge x R DS(on) product (FOM) • Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification • Low on-resistance RDS(on) • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • 150 °C operating

INFINEON

英飞凌

更新时间:2026-3-11 23:00:01
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