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BSC220N20NSFD

OptiMOSTM3 Power-Transistor, 200 V

文件:949.44 Kbytes Page:11 Pages

Infineon

英飞凌

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 220A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 5.5mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies ·DC-DC Converters ·PFC Circuits ·AC and DC Motor Drives ·Robotics and Servo Control

ISC

无锡固电

更新时间:2025-8-15 9:20:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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