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BSC220N20NSFD

丝印代码:220N20F;OptiMOSTM3 Power-Transistor, 200 V

文件:949.44 Kbytes Page:11 Pages

INFINEON

英飞凌

BSC220N20NSFD

采用 SuperSO8 封装的 OptiMOS™ 175°C 功率 MOSFET

INFINEON

英飞凌

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 220A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 5.5mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies ·DC-DC Converters ·PFC Circuits ·AC and DC Motor Drives ·Robotics and Servo Control

ISC

无锡固电

更新时间:2026-3-12 12:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon Technologies
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Infineon(英飞凌)
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INFINEON/德国英飞凌
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INFINEON TECHNOLOGIES AG
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