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BSC110N15NS5

MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor

文件:1.22501 Mbytes Page:12 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

OptiMOSTM5Power-Transistor,150V

Features •Dual-sidecooledpackagewithlowestJunction-topthermalresistance •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Idealforhigh-frequencyswitchi

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
更新时间:2025-8-5 8:25:00
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