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BSC110N15NS5SC

OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 150 V

Features • Dual-side cooled package with lowest Junction-top thermal resistance • N-channel, normal level • Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM) • Very low on-resistance RDS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Ideal for high-frequency switchi

Infineon

英飞凌

BSC110N15NS5SC

OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 150 V,采用 SuperSO8 DSC 封装,具有双面冷却功能,可增强热性能

Infineon

英飞凌

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

文件:1.22501 Mbytes Page:12 Pages

Infineon

英飞凌

更新时间:2025-11-17 23:00:00
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