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BSC059N04LS6

N-Channel MOSFET

FEATURES ·Drain Current -ID= 59A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =5.9mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS ·Switch Mode Power Supply (SMPS) ·Uninterruptible Power Supply (UPS) ·Power Factor Correction (PFC)

ISC

无锡固电

BSC059N04LS6

OptiMOS ™ 6 40V 功率 MOSFET 结合了一流的 RDS(on) 和卓越的开关性能

Infineon

英飞凌

BSC059N04LS6

OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 40 V

文件:1.53392 Mbytes Page:12 Pages

Infineon

英飞凌

更新时间:2025-12-31 14:48:00
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