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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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OptiMOS2 Power-Transistor 文件：299.81 Kbytes Page：10 Pages | Infineon 英飞凌 |   | ||
OptiMOS?? Power-Transistor 文件：383.35 Kbytes Page：10 Pages | Infineon 英飞凌 | |
BSC059N03ST产品属性
- 类型
描述
- 型号
BSC059N03ST
- 功能描述
MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
OptiMOS™
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
更新时间：2026-1-2 14:36:02
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
N/A |
9855 |
原装正品现货支持实单 |
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INFINEON |
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TDSON-8 |
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QFN |
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BSC059N03ST规格书下载地址
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