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型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO	操作
BSC028N06LS3	OptiMOS3 Power-Transistor Features • Ideal for high frequency switching and sync. rec. • Optimized technology for DC/DC converters • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance RDS(on) • Superior thermal resistance • N-channel, logic level • 100 avalanche tested • Pb-free plating; RoHS c	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSC028N06LS3G	丝印代码：028N06LS；OptiMOS3 Power-Transistor Features • Ideal for high frequency switching and sync. rec. • Optimized technology for DC/DC converters • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance RDS(on) • Superior thermal resistance • N-channel, logic level • 100 avalanche tested • Pb-free plating; RoHS c	INFINEON 英飞凌	INFINEON

BSC028N06LS3GIC供应商更多...

更新时间：2026-3-15 14:36:01

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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BSC018NE2LSATMA1 功率场效应管
BSC018NE2LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 BSC028N06NSSCATMA1 BSC070N10NS5SCATMA1
2023-7-3
BSC022N04LSATMA1 功率场效应管
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2023-7-3
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2023-7-3
BSC037N08NS5ATMA1 英飞凌原装现货货优势库存现货
MOSFET N-Ch 80V 100A TDSON-8
2021-5-14
BSC037N025S进口环保原盘原标
焕盛达竭诚为您提供一站式配套服务。当天下单，当天发货；
2020-10-9
BSC018NE2LS
产品属性属性值搜索类似制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TDSON-8 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 25 V Id-连续漏极电流: 100 A Rds On-漏源导通电阻: 1.8 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 20 V Vgs
2019-10-11