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BSC026N04LS	OptiMOSTM Power-MOSFET, 40 V 文件：1.46316 Mbytes Page：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSC026N04LS	N 沟道功率 MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon
VSD026N04MS	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：635.84 Kbytes Page：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER

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更新时间：2025-12-26 10:00:00

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深圳市润联芯城科技有限公司	BSC026N04LS	INFINEON	23+	PG-TDSON-8	50000	原装正品支持实单	询价
深圳市星宇佳科技有限公司	BSC026N04LS	Infineon(英飞凌)	20+	TDSON-8(6x5)	5000		询价
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BSC028N06NSSCATMA1 功率场效应管
BSC018NE2LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 BSC028N06NSSCATMA1 BSC070N10NS5SCATMA1
2023-7-3
BSC022N04LSATMA1 功率场效应管
BSC018NE2LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 BSC028N06NSSCATMA1 BSC070N10NS5SCATMA1
2023-7-3
BSC018NE2LSATMA1 功率场效应管
BSC018NE2LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 BSC028N06NSSCATMA1 BSC070N10NS5SCATMA1
2023-7-3
BSC037N08NS5ATMA1 英飞凌原装现货货优势库存现货
MOSFET N-Ch 80V 100A TDSON-8
2021-5-14
BSC037N025S进口环保原盘原标
焕盛达竭诚为您提供一站式配套服务。当天下单，当天发货；
2020-10-9
BSC018NE2LS
产品属性属性值搜索类似制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TDSON-8 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 25 V Id-连续漏极电流: 100 A Rds On-漏源导通电阻: 1.8 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 20 V Vgs
2019-10-11