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BSC019N06NS	OptiMOSTMPower-Transistor,60V Features •Optimizedforsynchronousrectification •175°Crated •100%avalanchetested •Superiorthermalresistance •N-channel •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 •Highersolderjointreliabilityduetoenlargedsou	Infineon 英飞凌	Infineon
BSC019N06NS	OptiMOSTM Power-Transistor, 60 V 文件：1.60638 Mbytes Page：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSC019N06NS	OptiMOS™ 5 power MOSFET with enhanced temperature rating for improved robustness	Infineon 英飞凌	Infineon
BSC019N06NSATMA1	OptiMOSTMPower-Transistor,60V Features •Optimizedforsynchronousrectification •175°Crated •100%avalanchetested •Superiorthermalresistance •N-channel •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 •Highersolderjointreliabilityduetoenlargedsou	Infineon 英飞凌	Infineon

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更新时间：2025-9-25 23:01:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市得捷芯城科技有限公司	BSC019N06NS	INFINEON/英飞凌	24+	NA/	22885	原装现货,当天可交货,原型号开票	询价
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深圳市赛特兴科技有限公司	BSC019N06NS	Infineon(英飞凌)	23+	标准封装	7000	原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品	询价
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BSC018NE2LSATMA1 功率场效应管
BSC018NE2LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 BSC028N06NSSCATMA1 BSC070N10NS5SCATMA1
2023-7-3
BSC022N04LSATMA1 功率场效应管
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2023-7-3
BSC037N025S进口环保原盘原标
焕盛达竭诚为您提供一站式配套服务。当天下单，当天发货；
2020-10-9
BSC018NE2LS
产品属性属性值搜索类似制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TDSON-8 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 25 V Id-连续漏极电流: 100 A Rds On-漏源导通电阻: 1.8 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 20 V Vgs
2019-10-11
BSC016N04LSG
BSC016N04LSG 深圳市拓亿芯电子有限公司，专业代理，分销世界名牌电子元器件，是一家专业化，品牌化的电子元器件，质量第一，诚信经营。
2019-3-7