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芯片资料

精确

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BSC018NE2LS	n-Channel Power MOSFET 文件：1.5296 Mbytes Page：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSC018NE2LS	OptiMOSTM Power-MOSFET 文件：820.71 Kbytes Page：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSC018NE2LSI	OptiMOSTM Power-MOSFET 文件：682.39 Kbytes Page：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSZ018NE2LS	n-Channel Power MOSFET 文件：1.42314 Mbytes Page：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSZ018NE2LSI	OptiMOSTM Power-MOSFET 文件：631.24 Kbytes Page：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

BSC018NE2LSG供应商更多...

更新时间：2026-1-1 10:45:01

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BSC018NE2LSATMA1 功率场效应管
BSC018NE2LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 BSC028N06NSSCATMA1 BSC070N10NS5SCATMA1
2023-7-3
BSC022N04LSATMA1 功率场效应管
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2023-7-3
BSC037N025S进口环保原盘原标
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2020-10-9
BSC018NE2LS
产品属性属性值搜索类似制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TDSON-8 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 25 V Id-连续漏极电流: 100 A Rds On-漏源导通电阻: 1.8 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 20 V Vgs
2019-10-11
BSC016N04LSG
BSC016N04LSG 深圳市拓亿芯电子有限公司，专业代理，分销世界名牌电子元器件，是一家专业化，品牌化的电子元器件，质量第一，诚信经营。
2019-3-7