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BRD50N06

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

BRD50N06

中低压MOS≤200V

FOSHAN

蓝箭电子

50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION The UTC 50N06is three-terminal silicon device with current conduction capability of about 50A, fast switching speed. Low on-state resistance, breakdown voltage rating of 60V, and max threshold voltages of 4 volt. It is mainly suitable electronic ballast, and low power switching mod

UTC

友顺

50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

友顺

丝印代码:50N06;50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

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WXDH

东海半导体

丝印代码:50N06;50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

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WXDH

东海半导体

丝印代码:50N06;50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

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WXDH

东海半导体

更新时间:2026-3-13 19:47:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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