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BR50N06

N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package

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FOSHAN

蓝箭电子

BR50N06

50A,60V Heatsink Planar N-Channel Power MOSFET

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THINKISEMI

思祁半导体

BR50N06

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.22906 Mbytes Page:3 Pages

DOINGTER

杜因特

BR50N06

中低压MOS≤200V

FOSHAN

蓝箭电子

MOSFET/场效应管

FOSHAN

蓝箭电子

50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION The UTC 50N06is three-terminal silicon device with current conduction capability of about 50A, fast switching speed. Low on-state resistance, breakdown voltage rating of 60V, and max threshold voltages of 4 volt. It is mainly suitable electronic ballast, and low power switching mod

UTC

友顺

50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

友顺

丝印代码:50N06;50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

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WXDH

东海半导体

丝印代码:50N06;50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:808.72 Kbytes Page:10 Pages

WXDH

东海半导体

丝印代码:50N06;50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:807.77 Kbytes Page:10 Pages

WXDH

东海半导体

更新时间:2026-3-13 9:19:00
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