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IGBT单管

BYD

比亚迪半导体

High Speed IGBT3 Chip

Features: • 650V Trench & Field Stop technology • high speed switching series third generation • low VCE(sat) • low EMI • low turn-off losses • positive temperature coefficient • qualified according to JEDEC for target applications Recommended for: • discrete components and modules Appli

Infineon

英飞凌

650V Field Stop IGBT

General Description This IGBT is produced using advanced MagnaChip’s Field Stop Trench IGBT Technology, which provides high performance, excellent quality and high ruggedness. This device is for motor control. Features ■ High ruggedness for motor control ■ VCE(sat) positive temperature coeffi

MGCHIP

650V trench & field stop technology

文件:335.08 Kbytes Page:9 Pages

Infineon

英飞凌

更新时间:2025-12-28 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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24+
NA/
2400
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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    2023-6-30
  • BGA524N6E6327 INFINEON/英飞凌

    www.hfxcom.com

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  • BGB741L7ESDE6327XTSA1

    BGB741L7ESDE6327XTSA1

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    类别 RF/IF 和 RFID 射频收发器和调制解调器 制造商 Silicon Labs 系列 - 包装 Digi-Reel? 零件状态 有源 射频系列/标准 蓝牙 协议 蓝牙 v4.2 调制 GFSK 频率 2.4GHz 数据速率 1Mbps 功率 - 输出 8dBm 灵敏度 -90dBm 串行接口 I2C,I2S,SPI,UART 天线类型 集成式,芯片 使用的 IC/零件 -

    2020-12-24
  • BGA2866,115

    原装 现货

    2019-9-6