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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SIGC15T65E | 650V trench & field stop technology 文件：335.08 Kbytes Page：9 Pages | Infineon 英飞凌 |   | |
SIGC15T65E | IGBT 裸片 | Infineon 英飞凌 | | |
High Speed IGBT3 Chip Features: • 650V Trench & Field Stop technology • high speed switching series third generation • low VCE(sat) • low EMI • low turn-off losses • positive temperature coefficient • qualified according to JEDEC for target applications Recommended for: • discrete components and modules Appli | Infineon 英飞凌 | | ||
650V Field Stop IGBT General Description This IGBT is produced using advanced MagnaChip’s Field Stop Trench IGBT Technology, which provides high performance, excellent quality and high ruggedness. This device is for motor control. Features ■ High ruggedness for motor control ■ VCE(sat) positive temperature coeffi | MGCHIP | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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INFINEON/英飞凌 |
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英飞凌MOS管、IGBT大量有货 |
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深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机：17727572380 。 电 话：0755-83226739 Q Q:626839837。 微信号：15096137729
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2019-12-3SIDACtor?大功率100A、6V保护晶闸管-PxxxxS4xLRP系列
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2019-9-6
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