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BFS17晶体管资料

BFS17(A,P,S)别名：BFS17(A,P,S)三极管、BFS17(A,P,S)晶体管、BFS17(A,P,S)晶体三极管
BFS17(A,P,S)生产厂家：
BFS17(A,P,S)制作材料：Si-NPN
BFS17(A,P,S)性质：表面帖装型（SMD）_甚高频（VHF）_超高频/特高频
BFS17(A,P,S)封装形式：贴片封装
BFS17(A,P,S)极限工作电压：25V
BFS17(A,P,S)最大电流允许值：0.025A
BFS17(A,P,S)最大工作频率：2.8GHZ
BFS17(A,P,S)引脚数：3
BFS17(A,P,S)最大耗散功率：
BFS17(A,P,S)放大倍数：
BFS17(A,P,S)图片代号：H-15
BFS17(A,P,S)vtest：25
BFS17(A,P,S)htest：2800000000
BFS17(A,P,S)atest：0.025
BFS17(A,P,S)wtest：0

BFS17(A,P,S)代换 BFS17(A,P,S)用什么型号代替：2SC3005,2SC3016,2SC3161,

BFS17价格

参考价格：￥0.3100

型号：BFS17 品牌：NXP 备注：这里有BFS17多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，BFS17批发/采购报价，BFS17行情走势销售排行榜，BFS17报价。

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
BFS17	NPN 1 GHz wideband transistor DESCRIPTION NPN transistor in a plastic SOT23 package. APPLICATIONS • A wide range of RF applications such as: – Mixers and oscillators in TV tuners – RF communications equipment.	Philips 飞利浦	Philips
BFS17	Silicon NPN Planar RF Transistor Features ● High power gain ● SMD-package Applications For broadband amplifiers up to 1 GHz.	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
BFS17	RF Manual 16th edition	ETC 知名厂家	ETC
BFS17	NPN Transistors ■ Features ● Collector Current Capability IC=25mA ● Collector Emitter Voltage VCEO=15V	KEXIN 科信电子	KEXIN
BFS17	RF TRANSISTOR 文件：34.71 Kbytes Page：1 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
BFS17	NPN RF Transistor	DIODES 美台半导体	DIODES
BFS17	Trans RF BJT NPN 15V 0.025A 3-Pin SOT-23	ETC 知名厂家	ETC
BFS17	RF anplifier Transistor	ROHM 罗姆	ROHM
BFS17A	RF Manual 16th edition	ETC 知名厂家	ETC
BFS17A	NPN 3 GHz wideband transistor DESCRIPTION NPN transistor in a plastic SOT23 package. APPLICATIONS • It is intended for RF applications such as oscillators in TV tuners.	Philips 飞利浦	Philips
BFS17A	Silicon NPN Planar RF Transistor Features • Low noise figure • High power gain • Small collector capacitance • Lead (Pb)-free component • Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC Applications Wide band, low noise, small signal amplifiers up to UHF frquencies, high speed logic applications and osci	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
BFS17AR	Silicon NPN Planar RF Transistor Features • Low noise figure • High power gain • Small collector capacitance • Lead (Pb)-free component • Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC Applications Wide band, low noise, small signal amplifiers up to UHF frquencies, high speed logic applications and osci	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
BFS17AW	Silicon NPN Planar RF Transistor Features • Low noise figure • High power gain • Small collector capacitance • Lead (Pb)-free component • Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC Applications Wide band, low noise, small signal amplifiers up to UHF frquencies, high speed logic applications and osci	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
BFS17H	NPN SILICON PLANAR RF TRANSISTORS SOT23 NPN SILICON PLANAR RF TRANSISTORS PARTMARKING DETAILS — BFS17L - E1L BFS17H - E1H	Zetex	Zetex
BFS17-HF	NPN Transistors ■ Features ● Collector Current Capability IC=25mA ● Collector Emitter Voltage VCEO=15V ● Pb−Free Package May be Available. The G−Suffix Denotes a Pb−Free Lead Finish	KEXIN 科信电子	KEXIN
BFS17L	NPN SILICON PLANAR RF TRANSISTORS SOT23 NPN SILICON PLANAR RF TRANSISTORS PARTMARKING DETAILS — BFS17L - E1L BFS17H - E1H	Zetex	Zetex
BFS17LT1	RF TRANSISTOR NPN SILICON The RF Line NPN silicon High-Frequency Transistor Designed primarily for use in high–gain, low–noise amplifier, oscillator and mixer applications. Packaged for thick or thin film circuits using surface mount components. • T1 suffix indicates tape and reel packaging of 3,000 units per reel.	Motorola 摩托罗拉	Motorola
BFS17N	NPN RF TRANSISTOR IN SOT-23 Features • 3.2GHz unity gain for RF switching applications • Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability • PPAP capable (Note 4) Applications • RF switch	DIODES 美台半导体	DIODES
BFS17NTA	NPN RF TRANSISTOR IN SOT-23 Features • 3.2GHz unity gain for RF switching applications • Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability • PPAP capable (Note 4) Applications • RF switch	DIODES 美台半导体	DIODES
BFS17P	NPN Silicon RF Transistor NPN Silicon RF Transistor • For broadband amplifiers up to 1 GHz at collector currents from 1 mA to 20 mA • Pb-free (RoHS compliant) package	Infineon 英飞凌	Infineon
BFS17P	NPN Silicon RF Transistor (For broadband amplifiers up to 1GHz at collector currents from 1mA to 20mA) NPN Silicon RF Transistor • For broadband amplifiers up to 1GHz at collector currents from 1mA to 20mA • CECC-type available: CECC 50002/248.	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BFS17R	Silicon NPN Planar RF Transistor Features ● High power gain ● SMD-package Applications For broadband amplifiers up to 1 GHz.	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
BFS17S	NPN Silicon RF Transistor NPN Silicon RF Transistor • For broadband amplifiers up to 1 GHz at collector currents from 1 mA to 20 mA • BFS17S: For orientation in reel see package information below • Pb-free (RoHS compliant) package	Infineon 英飞凌	Infineon
BFS17S	NPN Silicon RF Transistor (For broadband amplifiers up to 1GHz at collector currents from 1mA to 20mA) NPN Silicon RF Transistor • For broadband amplifiers up to 1GHz at collector currents from 1mA to 20mA	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BFS17W	NPN 1 GHz wideband transistor DESCRIPTION Silicon NPN transistor in a plastic SOT323 (S-mini) package. The BFS17W uses the same crystal as the SOT23 version, BFS17. APPLICATIONS Primarily intended as a mixer, oscillator and IF amplifier in UHF and VHF tuners.	Philips 飞利浦	Philips
BFS17W	Silicon NPN Planar RF Transistor Features ● High power gain ● SMD-package Applications For broadband amplifiers up to 1 GHz.	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
BFS17W	NPN Silicon RF Transistor (For broadband amplifiers up to 1GHz at collector currents from 1mA to 20mA) NPN Silicon RF Transistor • For broadband amplifiers up to 1GHz at collector currents from 1mA to 20mA	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BFS17W	NPN Silicon RF Transistor NPN Silicon RF Transistor • For broadband amplifiers up to 1 GHz at collector currents from 1 mA to 20 mA • Pb-free (RoHS compliant) package	Infineon 英飞凌	Infineon
BFS17W	RF Manual 16th edition	ETC 知名厂家	ETC
BFS17W	NPN 1 GHz wideband transistor	ETC 知名厂家	ETC
BFS17W.	NPN 1 GHz wideband transistor	ETC 知名厂家	ETC
BFS17W_V01	NPN 1 GHz wideband transistor	ETC 知名厂家	ETC
BFS17,235	封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR）描述：RF TRANS NPN 15V 1GHZ TO236AB 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频	ETC 知名厂家	ETC
BFS17_15	NPN 1 GHz wideband transistor 文件：39.58 Kbytes Page：6 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
BFS17_2015	NPN 1 GHz wideband transistor 文件：39.58 Kbytes Page：6 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
BFS17-3	NPN Transistors 文件：905.46 Kbytes Page：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
BFS17A	Silicon NPN Planar RF Transistor 文件：269.84 Kbytes Page：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
BFS17A,215	封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：带描述：RF TRANS NPN 15V 2.8GHZ TO236AB 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频	ETC 知名厂家	ETC
BFS17A_08	Silicon NPN Planar RF Transistor 文件：269.84 Kbytes Page：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
BFS17A_15	NPN 3 GHz wideband transistor 文件：43.22 Kbytes Page：6 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
BFS17A_2015	NPN 3 GHz wideband transistor 文件：43.22 Kbytes Page：6 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
BFS17AR	Silicon NPN Planar RF Transistor 文件：269.84 Kbytes Page：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
BFS17AW	Silicon NPN Planar RF Transistor 文件：269.84 Kbytes Page：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
BFS17H	SOT23 NPN SILICON PLANAR RF TRANSISTORS 文件：57.64 Kbytes Page：2 Pages	Zetex	Zetex
BFS17-HF-3	NPN Transistors 文件：964.87 Kbytes Page：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
BFS17HTA	SOT23 NPN SILICON PLANAR RF TRANSISTORS 文件：57.64 Kbytes Page：2 Pages	Zetex	Zetex
BFS17L	SOT23 NPN SILICON PLANAR RF TRANSISTORS 文件：57.64 Kbytes Page：2 Pages	Zetex	Zetex
BFS17L	SOT23 NPN SILICON PLANAR RF TRANSISTORS 文件：50 Kbytes Page：2 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BFS17P	NPN Silicon RF Transistor 文件：521.169 Kbytes Page：7 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BFS17P	NPN Silicon RF Transistor 文件：242.46 Kbytes Page：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BFS17P	NPN Silicon RF Transistor 文件：70.55 Kbytes Page：7 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BFS17P_07	NPN Silicon RF Transistor 文件：70.55 Kbytes Page：7 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BFS17P_11	NPN Silicon RF Transistor 文件：521.169 Kbytes Page：7 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BFS17P_17	NPN Silicon RF Transistor 文件：242.46 Kbytes Page：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BFS17S	NPN Silicon RF Transistor 文件：72.2 Kbytes Page：7 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BFS17S	NPN Silicon RF Transistor 文件：522.23 Kbytes Page：7 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BFS17S	RF TRANSISTOR 文件：34.71 Kbytes Page：1 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
BFS17S_07	NPN Silicon RF Transistor 文件：72.2 Kbytes Page：7 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BFS17S_11	NPN Silicon RF Transistor 文件：522.23 Kbytes Page：7 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BFS17W	NPN Silicon RF Transistor 文件：70.09 Kbytes Page：7 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

BFS17产品属性

类型
描述
型号
BFS17
功能描述
射频双极小信号晶体管 Single NPN 15V 25mA 300mW 25 2.8GHz
RoHS
否
制造商
NXP Semiconductors
配置
Single
晶体管极性
NPN
最大工作频率
7000 MHz 集电极—发射极最大电压
VCEO
15 V 发射极 - 基极电压
VEBO
2 V
集电极连续电流
0.15 A
功率耗散
1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe
最大工作温度
+ 150 C
封装/箱体
SOT-223
封装
Reel

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更新时间：2025-11-23 23:00:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	BFS17PE6327	Infineon(英飞凌)	24+	SOT-23(TO-236)	3022	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
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