BFU520A

制造商: NXP

产品种类: 射频(RF)双极晶体管

晶体管类型: Bipolar Wideband_

技术: Si

晶体管极性: NPN

工作频率: 900 MHz

直流集电极/Base Gain hfe Min: 60

集电极—发射极最大电压 VCEO: 16 V

发射极 - 基极电压 VEBO: 2 V

集电极连续电流: 5 mA

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 150 C

配置: Single

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

封装: Reel

封装: Cut Tape

商标: NXP Semiconductors

集电极—基极电压 VCBO: 24 V

直流电流增益 hFE 最大值: 200

增益带宽产品fT: 10 GHz

最大直流电集电极电流: 50 mA

工作温度范围: - 40 C to + 150 C

Pd-功率耗散: 450 mW

产品类型: RF Bipolar Transistors

3000

子类别: Transistors

类型: Wideband_RF Transistor

单位重量: 7.530 mg