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制造商: 恩智浦
产品分类: 射频双极晶体管
RoHS: 细节
晶体管类型: 双极
技术: 硅锗
直流收集器/基准增益hfe最小值: 205
集电极-发射极电压VCEO Max: 2.8伏
发射极-基极电压VEBO: 1伏
集电极连续电流: 5毫安
安装方式: 贴片/贴片
包装/箱: SOT343F-4
打包: 切带
打包: MouseReel
打包: 卷轴
集电极-基极电压VCBO: 10伏
直流电流增益hFE Max: 555
高度: 0.75毫米
长度: 2.2毫米
工作频率: 55 GHz
类型: 射频硅锗
宽度: 1.35毫米
牌: 恩智浦半导体
钯-功耗: 197兆瓦
产品类别: 射频双极晶体管
工厂包装数量: 3000
子类别: 晶体管
部件号别名: 934064614115
单位重量: 6.665毫克