BFU730F115

时间:2020-8-3 10:52:00

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产品属性 属性值 搜索相似

制造商: 恩智浦

产品分类: 射频双极晶体管

RoHS: 细节

晶体管类型: 双极

技术: 硅锗

直流收集器/基准增益hfe最小值: 205

集电极-发射极电压VCEO Max: 2.8伏

发射极-基极电压VEBO: 1伏

集电极连续电流: 5毫安

安装方式: 贴片/贴片

包装/箱: SOT343F-4

打包: 切带

打包: MouseReel

打包: 卷轴

集电极-基极电压VCBO: 10伏

直流电流增益hFE Max: 555

高度: 0.75毫米

长度: 2.2毫米

工作频率: 55 GHz

类型: 射频硅锗

宽度: 1.35毫米

牌: 恩智浦半导体

钯-功耗: 197兆瓦

产品类别: 射频双极晶体管

工厂包装数量: 3000

子类别: 晶体管

部件号别名: 934064614115

单位重量: 6.665毫克

2025-6-21 12:13:00
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