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制造商： 恩智浦
产品分类： 射频双极晶体管
RoHS： 细节
晶体管类型： 双极
技术： 硅锗
直流收集器/基准增益hfe最小值： 205
集电极-发射极电压VCEO Max： 2.8伏
发射极-基极电压VEBO： 1伏
集电极连续电流： 5毫安
安装方式： 贴片/贴片
包装/箱： SOT343F-4
打包： 切带
打包： MouseReel
打包： 卷轴
集电极-基极电压VCBO： 10伏
直流电流增益hFE Max： 555
高度： 0.75毫米
长度： 2.2毫米
工作频率： 55 GHz
类型： 射频硅锗
宽度： 1.35毫米
牌： 恩智浦半导体
钯-功耗： 197兆瓦
产品类别： 射频双极晶体管
工厂包装数量： 3000
子类别： 晶体管
部件号别名： 934064614115
单位重量： 6.665毫克
