型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
BFR30LT1G

JFETAmplifiers(N-Channel)

JFETAmplifiers N−Channel Features •Pb−FreePackageisAvailable

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
BFR30LT1G

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 包装:散装 描述:JFET N-CH 225MW SOT23 分立半导体产品 晶体管 - JFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

GeneralPurposeTransistors

GeneralPurposeTransistors PNPSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

GeneralPurposeTransistors(PNPSilicon)

GeneralPurposeTransistors PNPSilicon

LRCLeshan Radio Co., Ltd

乐山无线电乐山无线电股份有限公司

LRC

GeneralPurposeTransistors

GeneralPurposeTransistors PNPSilicon

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola

GeneralPurposeTransistors(PNPSilicon)

GeneralPurposeTransistors PNPSilicon

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

GeneralPurposeTransistors

GeneralPurposeTransistors PNPSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

BFR30LT1G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BFR30LT1G

  • 功能描述

    射频JFET晶体管 25V 10mA

  • RoHS

  • 制造商

    NXP Semiconductors

  • 配置

    Single

  • 晶体管极性

    N-Channel 正向跨导

  • gFS(最大值/最小值)

    电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    漏源电压

  • VDS

    40 V

  • 闸/源截止电压

    5 V

  • 闸/源击穿电压

    40 V

  • 最大漏极/栅极电压

    40 V 漏极电流(Vgs=0 时的

  • Idss)

    25 mA to 75 mA

  • 功率耗散

    250 mW

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOT-23

  • 封装

    Reel

更新时间:2024-6-17 9:48:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
23+
SOT23
8560
受权代理!全新原装现货特价热卖!
PHI
22+
TO23
2987
只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电!
NXP/恩智浦
SOT-23
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NXP(恩智浦)
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
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科恒伟业!只做原装正品!假一赔十!
NXP
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SOT-23
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只做原装,现货库存
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TO92
8700
原装现货
MOTOROLA/摩托罗拉
21+ROHS
SOT-23
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
PHILIPS
2020+
SOT-23
16800
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!?
NXP/恩智浦
23+
SOT-23
50000
全新原装正品现货,支持订货

BFR30LT1G芯片相关品牌

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    BFR181WH6327晶体管

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