型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BFR30LT1

JFET Amplifiers(N-Channel)

JFET Amplifiers N-Channel

Motorola

摩托罗拉

BFR30LT1

JFET Amplifiers(N-Channel)

JFET Amplifiers N−Channel Features • Pb−Free Package is Available

ONSEMI

安森美半导体

BFR30LT1

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 包装:散装 描述:JFET N-CH 225MW SOT23 分立半导体产品 晶体管 - JFET

ONSEMI

安森美半导体

JFET Amplifiers(N-Channel)

JFET Amplifiers N−Channel Features • Pb−Free Package is Available

ONSEMI

安森美半导体

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 包装:散装 描述:JFET N-CH 225MW SOT23 分立半导体产品 晶体管 - JFET

ONSEMI

安森美半导体

General Purpose Transistors

General Purpose Transistors PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available

ONSEMI

安森美半导体

General Purpose Transistors(PNP Silicon)

General Purpose Transistors PNP Silicon

LRC

乐山无线电

General Purpose Transistors

General Purpose Transistors PNP Silicon

Motorola

摩托罗拉

General Purpose Transistors(PNP Silicon)

General Purpose Transistors PNP Silicon

ONSEMI

安森美半导体

General Purpose Transistors

General Purpose Transistors PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available

ONSEMI

安森美半导体

BFR30LT1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BFR30LT1

  • 功能描述

    射频JFET晶体管 25V 10mA

  • RoHS

  • 制造商

    NXP Semiconductors

  • 配置

    Single

  • 晶体管极性

    N-Channel 正向跨导

  • gFS(最大值/最小值)

    电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    漏源电压

  • VDS

    40 V

  • 闸/源截止电压

    5 V

  • 闸/源击穿电压

    40 V

  • 最大漏极/栅极电压

    40 V 漏极电流(Vgs=0 时的

  • Idss)

    25 mA to 75 mA

  • 功率耗散

    250 mW

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOT-23

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-11-26 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
24+
SOT23
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
恩XP
24+
NA/
426
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
CCSEMI/芯能圆
23+
SOT-23
50000
原装正品 支持实单
SOT-23
23+
NA
15659
振宏微专业只做正品,假一罚百!
ON(安森美)
23+
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
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受权代理!全新原装现货特价热卖!
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22+
SOT23
8000
原装正品支持实单
ON
24+
SOT233SNGL
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