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BF859BA晶体管资料

  • BF859BA别名:BF859BA三极管、BF859BA晶体管、BF859BA晶体三极管

  • BF859BA生产厂家

  • BF859BA制作材料:Si-NPN

  • BF859BA性质:视频输出 (Vid)_功率放大 (L)

  • BF859BA封装形式:直插封装

  • BF859BA极限工作电压:300V

  • BF859BA最大电流允许值:0.2A

  • BF859BA最大工作频率:90MHZ

  • BF859BA引脚数:3

  • BF859BA最大耗散功率:6W

  • BF859BA放大倍数

  • BF859BA图片代号:A-83

  • BF859BAvtest:300

  • BF859BAhtest:90000000

  • BF859BAatest:0.2

  • BF859BAwtest:6

  • BF859BA代换 BF859BA用什么型号代替:BF857,BF858,BF859,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

PNP general purpose transistors

DESCRIPTION PNP transistor in a SOT23 plastic package. NPN complements: BC849 and BC850. FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 45 V). APPLICATIONS • Low noise input stages of audio frequency equipment.

PHILIPS

飞利浦

PNP general purpose transistors

DESCRIPTION PNP transistor in a SOT323 plastic package. NPN complements: BC849W and BC850W. FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 45 V). APPLICATIONS • Low noise stages in tape recorders, hi-fi amplifiers and other audio-frequency equipment.

PHILIPS

飞利浦

Integrated Circuit Quad, Low Noise, JFET Input Operational Amplifier

Description: The NTE859 (14–Lead DIP) and NTE859SM (SOIC–14 Surface Mount) JFET–input operational amplifiers are low noise amplifiers with low noise input bias, offset currents, and fast slew rate. The low harmonic distortion and low noise make these devices ideally suited as amplifiers for high–

NTE

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

文件:155.82 Kbytes Page:6 Pages

MOTOROLA

摩托罗拉

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

文件:155.82 Kbytes Page:6 Pages

MOTOROLA

摩托罗拉

更新时间:2026-5-14 11:21:02
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