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BF421-AP

SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR

SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR ■ SILICON EPITAXIAL PLANAR PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR ■ TO-92 PACKAGE SUITABLE FOR THROUGH-HOLE PCB ASSEMBLY ■ THE NPN COMPLEMENTARY TYPE IS BF420 APPLICATIONS ■ VIDEO AMPLIFIER CIRCUITS (RGB CATHODE CURRENT CONTROL) ■ TELEPHONE WIRELINE INTERFACE (HOOK SWITCHES,

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BF421-AP

丝印代码:BF421;SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR

SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR ■ SILICON EPITAXIAL PLANAR PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR ■ TO-92 PACKAGE SUITABLE FOR THROUGH-HOLE PCB ASSEMBLY ■ THE NPN COMPLEMENTARY TYPE IS BF420 APPLICATIONS ■ VIDEO AMPLIFIER CIRCUITS (RGB CATHODE CURRENT CONTROL) ■ TELEPHONE WIRELINE INTERFACE (HOOK SWITCHES,

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BF421-AP

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线 包装:散装 描述:TRANS PNP 300V 0.1A TO92 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

MCC

BF421-AP

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线 包装:卷带(TR) 描述:TRANS PNP 300V 0.5A TO92-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BF421-AP

SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR

STMICROELECTRONICS

意法半导体

High Voltage Transistors(PNP Silicon)

High Voltage Transistors PNP Silicon

ONSEMI

安森美半导体

High Voltage Transistors(PNP)

High Voltage Transistors PNP Silicon

MOTOROLA

摩托罗拉

RF POWER TRANSISTORS NPN SILICON

The RF Line ​​​​​​​NPN Silicon RF Power Transistor Designed primarily for application as a high–power linear amplifier from 2.0 to 30 MHz. • Specified 12.5 Volt, 30 MHz Characteristics — Output Power = 100 W (PEP) Minimum Gain = 10 dB Efficiency = 40 • Intermodulation Distortion @

MOTOROLA

摩托罗拉

Silicon NPN epitaxial planer transistor

Silicon NPN epitaxial planar type For digital circuits ■ Features • Costs can be reduced through downsizing of the equipment and reduction of the number of parts • New S type package, allowing supply with the radial taping

PANASONIC

松下

2.6 mm Series

文件:30.84 Kbytes Page:1 Pages

PANASONIC

松下

BF421-AP产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BF421-AP

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT PNP TRANSISTOR

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2026-5-14 11:29:00
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