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BD649晶体管资料

  • BD649别名：BD649三极管、BD649晶体管、BD649晶体三极管

  • BD649生产厂家：德国AEG公司_德国西门子AG公司_德国凡尔伏公司

  • BD649制作材料：Si-N+Darl+Di

  • BD649性质：低频或音频放大（LF）

  • BD649封装形式：直插封装

  • BD649极限工作电压：120V

  • BD649最大电流允许值：8A

  • BD649最大工作频率：<1MHZ或未知

  • BD649引脚数：3

  • BD649最大耗散功率：62.5W

  • BD649放大倍数：

  • BD649图片代号：B-10

  • BD649vtest：120

  • BD649htest：999900

  • BD649atest：8

  • BD649wtest：62.5

  • BD649代换 BD649用什么型号代替：BD701,BD901,BDW73C,BDX33C,BDX53C,FD50B,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
BD649

SiliconNPNPowerTransistors

SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·ComplementtotypeBD645/647/649/651 ·DARLINGTON APPLICATIONS ·Foruseinoutputstagesinaudioequipment,generalamplifier,andanalogueswitchingapplications

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
BD649

SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS

SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS PNPepitaxial-basetransistorsinamonolithicDalringtoncircuitandhousedinaTO-220enveloppe.Theyareintendedforoutputstagesinaudioequipment,generalamplifiers,andanalogueswitchingapplication. NPNcomplementsareBD643,BD645,BD647

COMSET

Comset Semiconductor

COMSET
BD649

iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor

DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=100V(Min) •HighDCCurrentGain:hFE=750(Min)@IC=3A •LowSaturationVoltage •ComplementtoTypeBD650 APPLICATIONS •DesignedforuseascomplementaryAFpush-pulloutputstageapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
BD649

PNPSILICONDARLINGTONTRANSISTORS

NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORS

SIEMENS

Siemens Ltd

SIEMENS
BD649

NPNSILICONPOWERDARLINGTONS

NPNSILICONPOWERDARLINGTONS ●RoHScompliant* ●DesignedforComplementaryUsewithBD646,BD648,BD650andBD652 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A

BournsBourns Inc.

伯恩斯（邦士）

Bourns
BD649

NPNSILICONPOWERDARLINGTONS

PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewithBD645,BD647,BD649andBD651 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A

POINNPower Innovations Ltd

Power Innovations Ltd

POINN
BD649

NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORS

NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORS

SIEMENS

Siemens Ltd

SIEMENS
BD649

NPNSILICONPOWERDARLINGTONS

NPNSILICONPOWERDARLINGTONS ●RoHScompliant* ●DesignedforComplementaryUsewithBD646,BD648,BD650andBD652 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A

BournsBourns Inc.

伯恩斯（邦士）

Bourns
BD649

NPNSiliconDarlingtonTransistors

Eplbasepowerdarlingtontransistors(62.5W) BD643,BD645,BD647,andBD649aremonolithicNPNSiliconepibasepowerdarlingtontransistorswithdiodeandresistorsinaTO220ABplasticpackage(TOP-66).Thecollectorsofthetwotransistorsareelectricallyconnectedtothemetallicmounting

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
BD649

SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS

文件：112.31 Kbytes Page：5 Pages

COMSET

Comset Semiconductor

COMSET
BD649

NPNSILICONPOWERDARLINGTONS

文件：105.89 Kbytes Page：5 Pages

BournsBourns Inc.

伯恩斯（邦士）

Bourns
BD649-S

NPNSILICONPOWERDARLINGTONS

NPNSILICONPOWERDARLINGTONS ●RoHScompliant* ●DesignedforComplementaryUsewithBD646,BD648,BD650andBD652 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A

BournsBourns Inc.

伯恩斯（邦士）

Bourns
BD649F

iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor

文件：278.82 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
BD649-S

封装/外壳：TO-220-3 包装：卷带（TR） 描述：TRANS NPN DARL 100V 8A TO220 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

BournsBourns Inc.

伯恩斯（邦士）

Bourns
649

MINIATUREFUSEHOLDERS

文件：94.91 Kbytes Page：1 Pages

LittelfuseLittelfuse Inc.

力特力特公司

Littelfuse
649

3M??Novec??649EngineeredFluid

文件：322.61 Kbytes Page：4 Pages

3MMinnesota Mining and Manufacturing

明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司

3M
649.S

GeneralPurposeTweezers

文件：3.67611 Mbytes Page：4 Pages

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc2未分类制造商

etc2
649.SA

GeneralPurposeTweezers

文件：3.67611 Mbytes Page：4 Pages

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc2未分类制造商

etc2
649A

PNPEpitaxialPlanarTransistors

文件：428.64 Kbytes Page：4 Pages

WEITRONWEITRON

威堂電子科技

WEITRON

BD649产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BD649

  • 功能描述

    达林顿晶体管 62.5W NPN Silicon

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 配置

    Octal

  • 晶体管极性

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流

    0.5 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-18

  • 封装

    Reel

BD649供应商更多...

更新时间：2024-6-4 17:05:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市科恒伟业电子有限公司
BD649
POWERTI
22+
TO-220
5623
只做原装正品现货!或订货假一赔十!
询价
深圳市振宏微科技有限公司
BD649
POWER
23+
TO-220
25000
专做原装正品,假一罚百!
询价
深圳市维尔达电子有限公司
BD649
ST
2228+
TO-220
16083
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品
询价
深圳市富芯乐电子科技有限公司
BD649
ST
22+
TO-220
25000
绝对全新原装现货
询价
标准国际(香港)有限公司
BD649
BD649
600
600
询价
深圳市汇莱威科技有限公司
BD649
ST
TO-220
70230
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量
询价
深圳宇航军工半导体有限公司
BD649
FSC
19+
TO-220F
65973
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂；
询价
深圳市中联芯电子有限公司
BD649
ST
24+
TO-220
9000
只做原装正品 有挂有货 假一赔十
询价
深圳市得捷芯城科技有限公司
BD649
ST/意法
23+
NA/
3330
原装现货,当天可交货,原型号开票
询价
深圳市华来深电子有限公司
BD649
NXP
23+
TO-220
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
询价

BD649芯片相关品牌

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BD649规格书下载地址

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