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BD649数据手册规格书PDF详情
DESCRIPTION
• Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 100V(Min)
• High DC Current Gain : hFE= 750(Min) @IC= 3A
• Low Saturation Voltage
• Complement to Type BD650
APPLICATIONS
• Designed for use as complementary AF push-pull output stage applications
BD649产品属性
- 类型
描述
- 型号
BD649
- 功能描述
达林顿晶体管 62.5W NPN Silicon
- RoHS
否
- 制造商
Texas Instruments
- 配置
Octal
- 晶体管极性
NPN 集电极—发射极最大电压
- VCEO
50 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
集电极—基极电压
- 最大直流电集电极电流
0.5 A
- 最大工作温度
+ 150 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
SOIC-18
- 封装
Reel
更新时间：2025-10-14 14:14:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
25+ |
TO220F |
20300 |
ST/意法原装特价BD649即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
24+ |
TO-220 |
10000 |
全新 |
||||
ST |
17+ |
TO-220 |
6200 |
||||
STMicroelectronics |
24+ |
TO-220 |
5000 |
只做原装公司现货 |
|||
恩XP |
23+ |
TO-220 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
POWER |
23+ |
TO-220 |
25000 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
FAIRCHILD |
23+ |
TO-220 |
1 |
||||
POWER |
2447 |
TO-220 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
ST/意法 |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
恩XP |
2022+ |
TO-220 |
12888 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
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Datasheet数据表PDF页码索引
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