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NPN SILICON POWER DARLINGTONS
● RoHS compliant*
● Designed for Complementary Use with BD646, BD648, BD650 and BD652
● 62.5 W at 25°C Case Temperature
● 8 A Continuous Collector Current
● Minimum hFE of 750 at 3 V, 3 A
BD649产品属性
- 类型
描述
- 型号
BD649
- 功能描述
达林顿晶体管 62.5W NPN Silicon
- RoHS
否
- 制造商
Texas Instruments
- 配置
Octal
- 晶体管极性
NPN 集电极—发射极最大电压
- VCEO
50 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
集电极—基极电压
- 最大直流电集电极电流
0.5 A
- 最大工作温度
+ 150 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
SOIC-18
- 封装
Reel
更新时间：2026-1-28 23:00:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
BOURNS |
25+ |
TO-220 |
20948 |
样件支持,可原厂排单订货! |
|||
BOURNS |
25+ |
TO-220 |
21000 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
|||
BOURNS/伯恩斯 |
24+ |
NA |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
ST/意法 |
25+ |
TO220F |
20300 |
ST/意法原装特价BD649即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
24+ |
TO-220FA |
10000 |
全新 |
||||
ST |
17+ |
TO-220 |
6200 |
||||
STMicroelectronics |
24+ |
TO-220 |
5000 |
只做原装公司现货 |
|||
TI |
25+ |
TO-220 |
5000 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
恩XP |
23+ |
TO-220F |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
POWER |
23+ |
TO-220 |
25000 |
专做原装正品,假一罚百! |
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BD649 芯片相关型号
- 0805YC103KAZ2A
- 0805ZC103KAZ2A
- 2036-09-BFLF
- 2036-35-AFLF
- 2036-35-ALF
- CAT16-1003000F2LF
- CDR33BP101ABMM
- CDR33BP101ABMP
- CDR33BX101BCMM
- DCT04S0A0S20PFA
- DCT12S0A0S12PFA
- DD01D0303A
- DH06S0303A
- DH06S1203A
- DI06S4805H
- DNL10S0A0S16NFD
- DNM04S0A0R10NFD
- DNM10S0A0S20PFB
- DZ01S0505A
- DZ03S0303A
- HF70ACC201209-X
- MBR2035CT
- SD2114T030L0R1
- TAJC106K016SNJV
- TAJC107K006BNJV
- TAJC107M002BNJV
- TAZH686K004CRSBTH00
- TAZH686K006LBSCTH00
- TPSC107K002B0100V
- TPSC107K004B0100V
BD649 晶体管资料
BD649别名：BD649三极管、BD649晶体管、BD649晶体三极管
BD649生产厂家：德国AEG公司_德国西门子AG公司_德国凡尔伏公司
BD649制作材料：Si-N+Darl+Di
BD649性质：低频或音频放大（LF）
BD649封装形式：直插封装
BD649极限工作电压：120V
BD649最大电流允许值：8A
BD649最大工作频率：<1MHZ或未知
BD649引脚数：3
BD649最大耗散功率：62.5W
BD649放大倍数：
BD649图片代号：B-10
BD649vtest：120
BD649htest：999900
- BD649atest：8
BD649wtest：62.5
BD649代换 BD649用什么型号代替：BD701,BD901,BDW73C,BDX33C,BDX53C,FD50B,
BOURNS相关芯片制造商
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