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BCD50N06

场效应管(MOSFET)

Baocheng

宝成电子

50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION The UTC 50N06is three-terminal silicon device with current conduction capability of about 50A, fast switching speed. Low on-state resistance, breakdown voltage rating of 60V, and max threshold voltages of 4 volt. It is mainly suitable electronic ballast, and low power switching mod

UTC

友顺

50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

友顺

50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

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WXDH

东海半导体

50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

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东海半导体

50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

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东海半导体

更新时间:2025-12-26 10:07:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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