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位置：首页 > IC中文资料第2510页 > BC859BW

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
BC859BW

PNPgeneralpurposetransistors

DESCRIPTION PNPtransistorinaSOT323plasticpackage. NPNcomplements:BC849WandBC850W. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS •Lownoisestagesintaperecorders,hi-fiamplifiersandotheraudio-frequencyequipment.

PhilipsROYAL PHILIPS

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips
BC859BW

PNPSiliconAFTransistors

•ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Lownoisebetween30Hzand15kHz •Complementarytypes:BC846W,BC847W,BC848W,BC849W,BC850W(NPN)

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
BC859BW

SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors

SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation200mW •PlasticcaseSOT-323 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled

DiotecDIOTEC

德欧泰克

Diotec
BC859BW

PNPGeneralPurposeTransistor

■Features ●Lowcurrent(max.100mA) ●Lowvoltage(max.45V). ●ComplementstoBC849WandBC850W.

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
BC859BW

PNPgeneralpurposetransistors

DESCRIPTION PNPtransistorinaSOT323plasticpackage. NPNcomplements:BC849WandBC850W. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS •Lownoisestagesintaperecorders,hi-fiamplifiersandotheraudio-frequencyequipment.

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp
BC859BW

PNPSiliconAFTransistors(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgainLowcollector-emittersaturationvoltage)

Features ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes:BC847W,BC848W,BC849W,BC850W(NPN)

SIEMENS

Siemens Ltd

SIEMENS
BC859BW

SMDGeneralPurposePNPTransistors

SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation200mW •PlasticcaseSOT-323 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled

DiotecDIOTEC

德欧泰克

Diotec
BC859BW

PNPgeneralpurposetransistors

FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.45V).

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA
BC859BW

SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarTransistors

文件：98.64 Kbytes Page：2 Pages

DiotecDIOTEC

德欧泰克

Diotec
BC859BW,135

封装/外壳：SC-70，SOT-323 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS PNP 30V 0.1A SOT323 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA
BC859BW_R1_00001

封装/外壳：SC-70，SOT-323 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS PNP 30V 0.1A SOT323 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

PANJITPANJIT International Inc.

强茂強茂股份有限公司

PANJIT
859

1.3WattsAxialLeadedZenerDiodes

VOLTAGERANGE:2.4-200VPOWER:1.3Watts Features ●CompleteVoltageRange2.4to200Volts ●Highpeakreversepowerdissipation ●Highreliability ●Lowleakagecurrent

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半导体股份有限公司

SUNMATE
ADG859

1.3ohmCMOS,1.8Vto5.5VSingleSPDTSwitch/2:1MUXinSOT-66Package

GENERALDESCRIPTION TheADG859isamonolithic,CMOSSPDT(singlepole,doublethrow)switchthatoperateswithasupplyrangeof1.8Vto5.5V.Itisdesignedtoofferlowonresistanceof2.3Ωmaximumovertheentiretemperaturerangeof−40°Cto+125°C.TheADG859alsohasthecapabilityof

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

AD
ADG859BRYZ-REEL

1.3ohmCMOS,1.8Vto5.5VSingleSPDTSwitch/2:1MUXinSOT-66Package

GENERALDESCRIPTION TheADG859isamonolithic,CMOSSPDT(singlepole,doublethrow)switchthatoperateswithasupplyrangeof1.8Vto5.5V.Itisdesignedtoofferlowonresistanceof2.3Ωmaximumovertheentiretemperaturerangeof−40°Cto+125°C.TheADG859alsohasthecapabilityof

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

AD
A-859

Avikrimp??SnapPlug,for18-22AWGWire,Box,24.31mm(.957)Length

文件：126.58 Kbytes Page：2 Pages

MOLEX4Molex Electronics Ltd.

莫仕公司MOLEX莫仕公司

MOLEX4
A-859T

Avikrimp??SnapPlug,for18-22AWGWire,MylarTape,24.31mm(.957)Length

文件：126.26 Kbytes Page：2 Pages

MOLEX4Molex Electronics Ltd.

莫仕公司MOLEX莫仕公司

MOLEX4

BC859BW产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BC859BW

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-11

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

BC859BW供应商更多...

更新时间：2024-4-25 11:49:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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