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BC859BW中文资料

厂家型号

BC859BW

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8

功能描述

PNP Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage)

两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-11

数据手册

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生产厂商

SIEMENS

BC859BW数据手册规格书PDF详情

Features

● For AF input stages and driver applications

● High current gain

● Low collector-emitter saturation voltage

● Low noise between 30 Hz and 15 kHz

● Complementary types: BC 847W, BC 848W, BC 849W, BC 850W (NPN)

BC859BW产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BC859BW

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-11

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-10-13 23:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Nexperia(安世)
24+
SOT-323(SC-70)
3022
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