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isc N-Channel MOSFET Transistor

• FEATURES • Drain Current :ID= 20A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS= 100V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 50mΩ (Max) • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation • APPLICATIONS • LED backl

ISC

无锡固电

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

Fast Switching

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ISC

无锡固电

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

N-Channel Power MOSFET

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JIANGSU

长电科技

更新时间:2025-12-25 23:01:01
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  • B32529C0105J289

    属性 参数值 商品目录 聚酯薄膜电容 脚间距(mm) 15 精度 ±10%_ 容值 100nF 额定直流耐压DC 275V 工作温度 -40℃ ~ +105℃

    2020-12-2
  • B32-1230

    原装现货

    2020-10-9
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    深圳科雨电子有限公司,联系人:卢小姐 手机:18975515225 原装正品 大量现货,有需要的可以联系我 QQ:97877805 微信:wei555222777

    2019-8-12