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NCE30P85K	NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30P85K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is well suited for high current load applications. General Features ● VDS = -30V,ID = -85A RDS(ON) =5.3mΩ @ VGS= -10V (Typ) RDS(ON) =7.6mΩ @ VGS= -4.5V (Typ	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER

ASDM30P85Q供应商更多...

更新时间：2025-12-11 15:41:01

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2020-3-28