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NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheNCE30P85Kusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.This deviceiswellsuitedforhighcurrentloadapplications. GeneralFeatures ●VDS=-30V,ID=-85A RDS(ON)=5.3mΩ@VGS=-10V(Typ) RDS(ON)=7.6mΩ@VGS=-4.5V(Typ

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司

NCEPOWER
更新时间:2025-7-30 14:02:01
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