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NCE30P85K

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The NCE30P85K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is well suited for high current load applications. General Features ● VDS = -30V,ID = -85A RDS(ON) =5.3mΩ @ VGS= -10V (Typ) RDS(ON) =7.6mΩ @ VGS= -4.5V (Typ

NCEPOWER

新洁能

NCE30P85K

12-150V P-Channel Trench MOSFET

NCEPOWER

新洁能

更新时间:2025-12-11 18:09:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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