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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
APT25GP120BDQ1G | Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs 文件：9.86083 Mbytes Page：44 Pages | Microsemi 美高森美 |   | |
APT25GP120BDQ1G | Power Semiconductors Power Modules 文件：2.83336 Mbytes Page：44 Pages | Microsemi 美高森美 | | |
APT25GP120BDQ1G | POWER MOS 7 IGBT 文件：209.92 Kbytes Page：9 Pages | ADPOW | | |
APT25GP120BDQ1G | 封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT 1200V 69A 417W TO247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | Microchip 微芯科技 | | |
APT25GP120BDQ1G | IGBT w/ anti-parallel diode | Microchip 微芯科技 | | |
POWER MOS 7 IGBT 文件：209.92 Kbytes Page：9 Pages | ADPOW | |
APT25GP120BDQ1G产品属性
- 类型
描述
- 型号
APT25GP120BDQ1G
- 功能描述
IGBT 1200V 69A 417W TO247
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
- 系列
POWER MOS 7®
- 标准包装
30
- 系列
GenX3™ IGBT
- 类型
PT 电压 -
- 集电极发射极击穿（最大）
1200V Vge,
- Ic时的最大Vce（开）
3V @ 15V，100A 电流 -
- 集电极(Ic)（最大）
200A 功率 -
- 最大
830W
- 输入类型
标准
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-247-3
- 供应商设备封装
PLUS247?-3
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Microsemi/美高森美 |
25+ |
TO247-3 |
15 |
原装正品,欢迎来电咨询! |
|||
MICROCHIP/微芯 |
25+ |
TO-247 |
32360 |
MICROCHIP/微芯全新特价APT25GP120BDQ1G即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
APT |
23+ |
TO-3P |
3000 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
MSC |
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
||||
APT |
21+ |
TO-3P |
16 |
原装现货假一赔十 |
|||
MICROSEMI |
638 |
原装正品 |
|||||
APT |
19+ |
MODULE |
1290 |
主打模块,大量现货供应商QQ2355605126 |
|||
MSC |
专业军工 |
NA |
1000 |
只做原装正品军工级部分订货 |
|||
MICROSEMI |
25+23+ |
TO-247 |
35111 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
MICROSEMI/美高森美 |
2023+ |
TO-247 |
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全新原装正品,优势价格 |
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