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APT25GP120BDQ1G中文资料

厂家型号

APT25GP120BDQ1G

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9860.83Kbytes

页面数量

44

功能描述

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

IGBT 1200V 69A 417W TO247

数据手册

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生产厂商

MICROSEMI

APT25GP120BDQ1G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    APT25GP120BDQ1G

  • 功能描述

    IGBT 1200V 69A 417W TO247

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> IGBT - 单路

  • 系列

    POWER MOS 7®

  • 标准包装

    30

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    1200V Vge,

  • Ic时的最大Vce(开)

    3V @ 15V,100A 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    200A 功率 -

  • 最大

    830W

  • 输入类型

    标准

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-247-3

  • 供应商设备封装

    PLUS247?-3

  • 包装

    管件

更新时间:2025-8-6 16:49:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MICROSEMI
25+23+
TO-247
35111
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Microsemi
18+
TO-247
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23+
TO247 [B]
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