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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID=3A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 2.3Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conve | ISC 无锡固电 | |||
N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件:2.52205 Mbytes Page:8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |||
IGBT with integrated diode in packages offering space saving advantage 文件:1.72801 Mbytes Page:16 Pages | Infineon 英飞凌 | |||
Power MOSFET 文件:193.74 Kbytes Page:3 Pages | JIANGSU 长电科技 | |||
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures 文件:580.87 Kbytes Page:5 Pages | Fuji 富士通 |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FUJI/富士电机 |
23+ |
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FUJI/富士电机系列在售 |
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FUJI/富士电机 |
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专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优 |
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FUJI |
原厂封装 |
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一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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FUJI/富士电机 |
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TO-263 |
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FUJI/富士电机 |
2022+ |
TO-263 |
50000 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
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IR |
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D2-PAK |
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APHD03N60AI规格书下载地址
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2018-12-19
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