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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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AP9T18GH-HF | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：497.12 Kbytes Page：6 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 |   | |
Fast Switching Characteristic 文件：103.67 Kbytes Page：5 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
G-S Diode embedded, Capable of 2.5V gate drive Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost-effectiveness. ▼ G-S Diode embedded ▼ Capable of 2.5V gate drive ▼ Surface mount package ▼ RoHS Compliant | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
G-S Diode embedded, Capable of 2.5V gate drive Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost-effectiveness. ▼ G-S Diode embedded ▼ Capable of 2.5V gate drive ▼ Surface mount package ▼ RoHS Compliant | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：110.11 Kbytes Page：4 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：960.88 Kbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：959.92 Kbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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APEC/富鼎 |
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APEC/富鼎 |
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2019-10-16
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