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AP9T18GEH

G-S Diode embedded, Capable of 2.5V gate drive

Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost-effectiveness. ▼ G-S Diode embedded ▼ Capable of 2.5V gate drive ▼ Surface mount package ▼ RoHS Compliant

A-POWER

富鼎先进电子

AP9T18GEH

G-S Diode embedded, Capable of 2.5V gate drive

APEC

富鼎先进

G-S Diode embedded, Capable of 2.5V gate drive

Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost-effectiveness. ▼ G-S Diode embedded ▼ Capable of 2.5V gate drive ▼ Surface mount package ▼ RoHS Compliant

A-POWER

富鼎先进电子

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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A-POWER

富鼎先进电子

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VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

AP9T18GEH产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AP9T18GEH

  • 制造商

    A-POWER

  • 制造商全称

    Advanced Power Electronics Corp.

  • 功能描述

    G-S Diode embedded, Capable of 2.5V gate drive

更新时间:2026-1-5 17:32:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ANPEC
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