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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
AP9T18GEH | G-S Diode embedded, Capable of 2.5V gate drive Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost-effectiveness. ▼ G-S Diode embedded ▼ Capable of 2.5V gate drive ▼ Surface mount package ▼ RoHS Compliant | A-POWER 富鼎先进电子 |   | |
AP9T18GEH | G-S Diode embedded, Capable of 2.5V gate drive | APEC 富鼎先进 | | |
G-S Diode embedded, Capable of 2.5V gate drive Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost-effectiveness. ▼ G-S Diode embedded ▼ Capable of 2.5V gate drive ▼ Surface mount package ▼ RoHS Compliant | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：110.11 Kbytes Page：4 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：960.88 Kbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：959.92 Kbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |
AP9T18GEH产品属性
- 类型
描述
- 型号
AP9T18GEH
- 制造商
A-POWER
- 制造商全称
Advanced Power Electronics Corp.
- 功能描述
G-S Diode embedded, Capable of 2.5V gate drive
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
APEC/富鼎 |
21+ |
TO252 |
54200 |
||||
APEC |
20+ |
TO-252 |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
APEC |
22+ |
TO-252 |
8200 |
原装现货库存.价格优势!! |
|||
APEC |
21+ |
TO-252 |
10 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
APEC/富鼎 |
2022+ |
SOT-252 |
12888 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
|||
APEC |
25+ |
TO-252 |
640 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
APEC |
24+ |
TO-252 |
11000 |
原装正品 有挂有货 假一赔十 |
|||
APEC |
23+ |
TO-252 |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
NEXPERIA/安世 |
23+ |
SOT1205 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
|||
ADVANCED |
2447 |
TO-252 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
AP9T18GEH规格书下载地址
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2019-10-16
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