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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
AP9T18GEH | G-S Diode embedded, Capable of 2.5V gate drive Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost-effectiveness. ▼ G-S Diode embedded ▼ Capable of 2.5V gate drive ▼ Surface mount package ▼ RoHS Compliant | A-POWER 富鼎先进电子 |   | |
AP9T18GEH | G-S Diode embedded, Capable of 2.5V gate drive | APEC 富鼎先进 | | |
G-S Diode embedded, Capable of 2.5V gate drive Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost-effectiveness. ▼ G-S Diode embedded ▼ Capable of 2.5V gate drive ▼ Surface mount package ▼ RoHS Compliant | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：110.11 Kbytes Page：4 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：960.88 Kbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：959.92 Kbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |
AP9T18GEH产品属性
- 类型
描述
- 型号
AP9T18GEH
- 制造商
A-POWER
- 制造商全称
Advanced Power Electronics Corp.
- 功能描述
G-S Diode embedded, Capable of 2.5V gate drive
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
APEC |
21+ |
TO-252 |
10 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
APEC/富鼎 |
22+ |
SOT-252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
APEC |
20+ |
TO-252 |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
APEC/富鼎 |
21+ |
TO252 |
54200 |
||||
ANPEC |
25+ |
TO-252 |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
|||
ANPEC |
25+ |
TO-252 |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
|||
APEC |
22+ |
TO-252 |
20000 |
公司只做原装 品质保证 |
|||
APEC |
24+ |
37500 |
|||||
APEC |
25+ |
TO-252 |
90000 |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
|||
富鼎 |
26+ |
原厂原封装 |
86720 |
全新原装正品价格最实惠 假一赔百 |
AP9T18GEH规格书下载地址
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