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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
AP9T18GEJ | G-S Diode embedded, Capable of 2.5V gate drive Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost-effectiveness. ▼ G-S Diode embedded ▼ Capable of 2.5V gate drive ▼ Surface mount package ▼ RoHS Compliant | A-POWER 富鼎先进电子 |   | |
G-S Diode embedded, Capable of 2.5V gate drive Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost-effectiveness. ▼ G-S Diode embedded ▼ Capable of 2.5V gate drive ▼ Surface mount package ▼ RoHS Compliant | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
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N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：959.92 Kbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |
AP9T18GEJ产品属性
- 类型
描述
- 型号
AP9T18GEJ
- 制造商
A-POWER
- 制造商全称
Advanced Power Electronics Corp.
- 功能描述
G-S Diode embedded, Capable of 2.5V gate drive
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
23+ |
TO263 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
|||
APEC |
23+ |
TO-251 |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
ADVANCED |
2447 |
TO-252 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
APEC |
23+ |
TO-252 |
12800 |
公司只有原装 欢迎来电咨询。 |
|||
AP |
24+ |
TO-252 |
25000 |
||||
APEC(富鼎) |
24+ |
TO-252 |
39500 |
进口原装现货 支持实单价优 |
|||
APEC |
22+ |
TO-252 |
8200 |
原装现货库存.价格优势!! |
|||
APEC |
23+ |
TO-252(H) |
8000 |
公司只做原装，可来电咨询 |
|||
APEC/富鼎 |
TO-252 |
22+ |
6000 |
十年配单,只做原装 |
|||
APEC/富鼎 |
23+ |
TO252 |
3000 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
AP9T18GEJ规格书下载地址
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