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P-Channel Enhancement MOSFET

Application « PWM applications » Load switch « Power management

TECHPUBLIC

台舟电子

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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A-POWER

富鼎先进电子

Fast Switching Characteristic, Single Drive Requirement

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A-POWER

富鼎先进电子

Fast Switching Characteristic

文件:63.06 Kbytes Page:4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

Fast Switching Characteristic

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A-POWER

富鼎先进电子

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件:180.03 Kbytes Page:6 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

Power MOSFETs

APEC

富鼎先进

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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A-POWER

富鼎先进电子

RoHS Compliant & Halogen-Free

文件:109.07 Kbytes Page:5 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

Simple Drive Requirement

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A-POWER

富鼎先进电子

RoHS Compliant & Halogen-Free

文件:109.07 Kbytes Page:5 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件:180.03 Kbytes Page:6 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

Power MOSFETs

APEC

富鼎先进

RoHS Compliant & Halogen-Free

文件:109.07 Kbytes Page:5 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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A-POWER

富鼎先进电子

Power MOSFETs

APEC

富鼎先进

P-Channel 35 V (D-S) MOSFET

文件:1.00197 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

Simple Drive Requirement, Low Gate Charge

文件:100.87 Kbytes Page:4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

Simple Drive Requirement

文件:100.87 Kbytes Page:4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

Fast Switching Characteristic

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A-POWER

富鼎先进电子

Simple Drive Requirement, Low Gate Charge

文件:185.16 Kbytes Page:5 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:959.6 Kbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

P-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

Simple Drive Requirement

文件:175.45 Kbytes Page:5 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

Fast Switching Characteristic

文件:65.67 Kbytes Page:5 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

Low Gate Charge, Simple Drive Requirement

文件:99.95 Kbytes Page:4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

Simple Drive Requirement

文件:100.75 Kbytes Page:4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

DESCRIPTION The 9435 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES ● VDS = -30V,ID = -5.1A RDS(ON)

HOTTECH

合科泰

SOP-8 Plastic-Encapsulate MOSFETS

Description The 9435 uses advanced trench technology to provide excellent RDS , low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. General Features VDS = -30V RDS

TUOFENG

拓锋半导体

MACHINE SCREW PAN PHILLIPS 10-32

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KEYSTONE

Keystone Electronics Corp.

20V P-Channel Increased MOS FET

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FUMAN

富满微

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:972.94 Kbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

AP9435G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AP9435G

  • 制造商

    A-POWER

  • 制造商全称

    Advanced Power Electronics Corp.

  • 功能描述

    P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

更新时间:2025-12-25 13:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
APEC/富鼎
25+
TO252
15000
全新原装现货,价格优势
APEC
25+
TO-252
66
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
APEC/富鼎
24+
SOT-89
60000
全新原装现货
APEC/富鼎
24+
TO-252
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
APEC
23+
TO-252
50000
全新原装正品现货,支持订货
APEC/富鼎
24+
NA/
2247
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
APEC
20+
TO-252
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
APEC
24+
TO-252
11000
原装正品 有挂有货 假一赔十
ANPEC
20+
TO252
50
原装
APEC富鼎
12+
TO-252
15000
全新原装,绝对正品,公司现货供应。

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