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AP88N30W

Simple Drive Requirement

APEC

富鼎先进

Simple Drive Requirement

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A-POWER

富鼎先进电子

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 88A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 300V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 40mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

ISC

无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 88A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 300V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 40mΩ(Max) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Switching applications

ISC

无锡固电

Polar HiPerFET Power MOSFET

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IXYS

艾赛斯

Polar HiPerFET Power MOSFET

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IXYS

艾赛斯

Polar HiPerFET Power MOSFET

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IXYS

艾赛斯

更新时间:2025-12-26 18:47:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
AP/美商亚柏
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QFP
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TO-252
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APEC/富鼎
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Assmann WSW Components
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DIP
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原装现货库存.价格优势!!
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23+
SOP
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原装正品,假一罚十

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