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位置：首页 > IC中文资料第5972页 > AP2302

AP2302价格

参考价格：￥0.2860

型号：AP2302GN 品牌：\u5bcc\u9f0e 备注：这里有AP2302多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，AP2302批发/采购报价，AP2302行情走势销售排行榜，AP2302报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
AP2302

3A DDR TERMINATION REGULATOR

文件：154.38 Kbytes Page：13 Pages

BCDSEMI

新进半导体

AP2302

Power Mosfets

ETC

知名厂家

AP2302GN

丝印代码：N2**；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. ▼ Capable of 2.5V gate drive ▼ Small package outline ▼ Surface mount package

A-POWER

富鼎先进电子

AP2302GN-HF

Capable of 2.5V gate drive, Small package outline

Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. ▼ Capable of 2.5V gate drive ▼ Small package outline ▼ Surface mount package ▼RoHS Compliant

A-POWER

富鼎先进电子

AP2302N

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. ▼ Capable of 2.5V gate drive ▼ Small package outline ▼ Surface mount package

A-POWER

富鼎先进电子

AP2302N-HF

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

Description Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and cost-effectiveness device. The SOT-23S package is widely preferred for commercial-industrial surface mount applications and suited for low voltage appl

A-POWER

富鼎先进电子

AP2302AGN

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：423.07 Kbytes Page：6 Pages

ZPSEMIZP Semiconductor

至尚臻品

AP2302AGN

Power MOSFETs

APEC

富鼎先进

AP2302AGN-HF

Capable of 2.5V gate drive, Lower Gate Charge

文件：99.87 Kbytes Page：4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP2302AGN-HF_14

Surface mount package

文件：99.87 Kbytes Page：4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP2302AGN-HF_16

Surface Mount Package

文件：99.14 Kbytes Page：5 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP2302AI

20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

APM

AP2302D

3A DDR TERMINATION REGULATOR

文件：154.38 Kbytes Page：13 Pages

BCDSEMI

新进半导体

AP2302D-E1

3A DDR TERMINATION REGULATOR

文件：154.38 Kbytes Page：13 Pages

BCDSEMI

新进半导体

AP2302DTR

3A DDR TERMINATION REGULATOR

文件：154.38 Kbytes Page：13 Pages

BCDSEMI

新进半导体

AP2302DTR-E1

3A DDR TERMINATION REGULATOR

文件：154.38 Kbytes Page：13 Pages

BCDSEMI

新进半导体

AP2302GN-HF_14

Small package outline

文件：102.12 Kbytes Page：4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP2302GN-HF_16

Surface Mount Package

文件：64.099 Kbytes Page：5 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP2302L

2A DDR TERMINATION REGULATOR

文件：140.4 Kbytes Page：12 Pages

BCDSEMI

新进半导体

AP2302L

2A DDR TERMINATION REGULATOR

文件：131.34 Kbytes Page：12 Pages

BCDSEMI

新进半导体

AP2302L_06

2A DDR TERMINATION REGULATOR

文件：140.4 Kbytes Page：12 Pages

BCDSEMI

新进半导体

AP2302LD-

2A DDR TERMINATION REGULATOR

文件：131.34 Kbytes Page：12 Pages

BCDSEMI

新进半导体

AP2302LD-E1

2A DDR TERMINATION REGULATOR

文件：131.34 Kbytes Page：12 Pages

BCDSEMI

新进半导体

AP2302LD-E1

2A DDR TERMINATION REGULATOR

文件：140.4 Kbytes Page：12 Pages

BCDSEMI

新进半导体

AP2302LDTR-

2A DDR TERMINATION REGULATOR

文件：131.34 Kbytes Page：12 Pages

BCDSEMI

新进半导体

AP2302LDTR-E1

2A DDR TERMINATION REGULATOR

文件：131.34 Kbytes Page：12 Pages

BCDSEMI

新进半导体

AP2302LDTR-E1

2A DDR TERMINATION REGULATOR

文件：140.4 Kbytes Page：12 Pages

BCDSEMI

新进半导体

AP2302LM-

2A DDR TERMINATION REGULATOR

文件：131.34 Kbytes Page：12 Pages

BCDSEMI

新进半导体

AP2302LM-E1

2A DDR TERMINATION REGULATOR

文件：131.34 Kbytes Page：12 Pages

BCDSEMI

新进半导体

AP2302LM-E1

2A DDR TERMINATION REGULATOR

文件：140.4 Kbytes Page：12 Pages

BCDSEMI

新进半导体

AP2302LMTR-

2A DDR TERMINATION REGULATOR

文件：131.34 Kbytes Page：12 Pages

BCDSEMI

新进半导体

AP2302LMTR-E1

2A DDR TERMINATION REGULATOR

文件：131.34 Kbytes Page：12 Pages

BCDSEMI

新进半导体

AP2302LMTR-E1

2A DDR TERMINATION REGULATOR

文件：140.4 Kbytes Page：12 Pages

BCDSEMI

新进半导体

AP2302M

3A DDR TERMINATION REGULATOR

文件：154.38 Kbytes Page：13 Pages

BCDSEMI

新进半导体

AP2302M-E1

3A DDR TERMINATION REGULATOR

文件：154.38 Kbytes Page：13 Pages

BCDSEMI

新进半导体

AP2302MTR

3A DDR TERMINATION REGULATOR

文件：154.38 Kbytes Page：13 Pages

BCDSEMI

新进半导体

AP2302MTR-E1

3A DDR TERMINATION REGULATOR

文件：154.38 Kbytes Page：13 Pages

BCDSEMI

新进半导体

AP2302N-HF_14

Lower Gate Charge

文件：92.2 Kbytes Page：4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP2302S5

3A DDR TERMINATION REGULATOR

文件：154.38 Kbytes Page：13 Pages

BCDSEMI

新进半导体

AP2302S5-E1

3A DDR TERMINATION REGULATOR

文件：154.38 Kbytes Page：13 Pages

BCDSEMI

新进半导体

AP2302S5TR

3A DDR TERMINATION REGULATOR

文件：154.38 Kbytes Page：13 Pages

BCDSEMI

新进半导体

AP2302S5TR-E1

3A DDR TERMINATION REGULATOR

文件：154.38 Kbytes Page：13 Pages

BCDSEMI

新进半导体

CXD2302

8-bit 50MSPS Video A/D Converter with Clamp Function

Description The CXD2302Q is an 8-bit CMOS A/D converter for video with synchronizing clamp function. The adoption of 2 step-parallel method achieves low power consumption and a maximum conversion rate of 50MSPS. Features • Resolution: 8 bit ± 1/2LSB (DL) • Maximum sampling frequency: 50MSPS •

SONYSony Corporation

索尼

NTE2302

Silicon NPN Transistor Color TV Horizontal Deflection Output w/Damper Diode

Features: • High Breakdown Voltage and High Reliability • High Switching Speed • Capable of Being Mounted in a Variety of Methods

NTE

RF2302

BROADBAND LINEAR VARIABLE GAIN AMPLIFIER

Product Description The RF2302 is a broadband linear variable gain amplifier that was designed specifically for digital communications systems that require linear amplification over a wide gain control range. It is suitable for use in CDMA or TDMA systems in the cellular or PCS band, in DAMPS sys

RFMD

威讯联合

RF2302PCBA-H

BROADBAND LINEAR VARIABLE GAIN AMPLIFIER

Product Description The RF2302 is a broadband linear variable gain amplifier that was designed specifically for digital communications systems that require linear amplification over a wide gain control range. It is suitable for use in CDMA or TDMA systems in the cellular or PCS band, in DAMPS sys

RFMD

威讯联合

SI2302DS

N-channel enhancement mode field-effect transistor

Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology. Product availability: SI2302DS in SOT23. Features TrenchMOS™ technology Very fast switching Logic level compatible Subminiature surface mount package.

PHILIPS

飞利浦

AP2302产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AP2302

  • 制造商

    BCDSEMI

  • 制造商全称

    BCD Semiconductor Manufacturing Limited

  • 功能描述

    3A DDR TERMINATION REGULATOR

AP2302供应商更多...

更新时间：2026-3-18 20:23:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
中天科工半导体（深圳）有限公司
AP2302GN-HF
APEC/富鼎
25+
SOT23-3
32451
APEC/富鼎全新特价AP2302GN-HF即刻询购立享优惠#长期有货
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深圳市科芯源微电子有限公司
AP2302
APM/永源微电子
2026+
SOT-23
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深圳市威雅利发展有限公司
AP2302
RFHIC
14+
SOP8
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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深圳市科恒伟业电子有限公司
AP2302GN-HF
APEC
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AP2302
APEC
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AP2302AAC
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原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
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深圳诚思涵科技有限公司
AP2302AGN-HF
APEC/富鼎
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SOT-23
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深圳市英科美电子有限公司
AP2302AGN
APEC/富鼎
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深圳市创新迹电子有限公司
AP2302
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SOT-23
20000
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司
AP2302
APEC/富鼎
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