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位置：首页 > IC中文资料 > AP18N20

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
AP18N20

POWER MOSFETS

Allpower

AP18N20D

丝印代码：AP18N20D；200V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 200V ID =18A - RDS(ON)

APME

永源微电子

AP18N20P

丝印代码：AP18N20P；200V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 200V ID =18A - RDS(ON)

APME

永源微电子

AP18N20T

丝印代码：AP18N20T；200V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 200V ID =18A - RDS(ON)

APME

永源微电子

AP18N20Y

丝印代码：AP18N20Y；200V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 200V ID =18A - RDS(ON)

APME

永源微电子

LMAK18N20

丝印代码：AP18N20D；200V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：1.43631 Mbytes Page：6 Pages

LEIDITECH

雷卯电子

AP18N20F

200V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 200V ID =18A - RDS(ON)

APME

永源微电子

AP18N20FPT

200V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 200V ID =18A - RDS(ON)

APME

永源微电子

AP18N20GH-HF

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial surface mount applications and suited for low v

A-POWER

富鼎先进电子

AP18N20GI

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

BVDSS 200V RDS(ON) 170mΩ ID 18A Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220CFM isolation package is widely preferred for commercial-indust

A-POWER

富鼎先进电子

AP18N20GJ-HF

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial surface mount applications and suited for low v

A-POWER

富鼎先进电子

AP18N20GS

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSF

▼ Low Gate Charge ▼ Simple Drive Requirement ▼ Fast Switching Characteristic ▼ RoHS Compliant & Halogen-Free Description AP18N20 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest possible on-resistance and fast switching performance. It p

A-POWER

富鼎先进电子

AP18N20P-HF

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSF

▼ Low Gate Charge ▼ Simple Drive Requirement ▼ Fast Switching Characteristic ▼ RoHS Compliant & Halogen-Free Description AP18N20 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest possible on-resistance and fast switching performance. It p

A-POWER

富鼎先进电子

AP18N20AGS-HF

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件：63.34 Kbytes Page：4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP18N20AGS-HF_14

Simple Drive Requirement

文件：63.34 Kbytes Page：4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP18N20D

200V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

APM

AP18N20GH

Power MOSFETs

APEC

富鼎先进

AP18N20GH-HF

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件：637.79 Kbytes Page：5 Pages

DOINGTER

杜因特

AP18N20GH-HF

Fast Switching Characteristics

文件：104.9 Kbytes Page：5 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP18N20GH-HF_14

Simple Drive Requirement

文件：105.5 Kbytes Page：4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP18N20GH-HF_16

Fast Switching Characteristics

文件：104.9 Kbytes Page：5 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP18N20GI

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件：775.65 Kbytes Page：5 Pages

DOINGTER

杜因特

AP18N20GI_14

Simple Drive Requirement

文件：161.7 Kbytes Page：5 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP18N20GI-HF

Fast Switching Characteristic

文件：102.19 Kbytes Page：5 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP18N20GJ-HF

Fast Switching Characteristics

文件：104.9 Kbytes Page：5 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP18N20GJ-HF

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件：468.18 Kbytes Page：5 Pages

DOINGTER

杜因特

AP18N20GJ-HF_14

Simple Drive Requirement

文件：105.5 Kbytes Page：4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP18N20GP-HF

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件：107.84 Kbytes Page：4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP18N20GP-HF

Fast Switching Characteristic

文件：68.13 Kbytes Page：5 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP18N20GP-HF

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件：596.94 Kbytes Page：5 Pages

DOINGTER

杜因特

AP18N20GP-HF_14

Simple Drive Requirement

文件：107.84 Kbytes Page：4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP18N20GS-HF

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件：107.84 Kbytes Page：4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP18N20GS-HF

Fast Switching Characteristic

文件：68.13 Kbytes Page：5 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP18N20GS-HF_14

Simple Drive Requirement

文件：107.84 Kbytes Page：4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP18N20GS-HF_16

Fast Switching Characteristic

文件：68.13 Kbytes Page：5 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

FDP18N20F

N-Channel MOSFET 200V, 18A, 0.14廓

Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high

FAIRCHILD

仙童半导体

FDPF18N20FT

N-Channel MOSFET 200V, 18A, 0.14廓

Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high

FAIRCHILD

仙童半导体

PHP18N20E

PowerMOS transistor

GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic envelope featuring high avalanche energy capability, stable blocking voltage, fast switching and high thermal cycling performance with low thermal resistance. Intended for use in Switched Mode Power Supplies

PHILIPS

飞利浦

STB18N20

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on) = 0.145 Ω ■ AVALANCHERUGGED TECHNOLOGY ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC ■ LOW GATE CHARGE ■ VERY HIGH CURRENT CAPABILITY ■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION ■ THROUGH-HOLE I2PAK (TO-262) POWE

STMICROELECTRONICS

意法半导体

CMT18N20

POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件：199.32 Kbytes Page：8 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

AP18N20产品属性

  • 类型

    描述

  • Configuration：

    Single

  • ESD：

    N

  • VDS(min)：

    200

  • Id at 25℃(max)：

    18

  • Vgs(th) typ(V)：

    ±20

  • Rds(on) (typ)(@10V)：

    120

AP18N20供应商更多...

更新时间：2026-5-25 8:04:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市华来深电子有限公司
AP18N20GJ-HF
VBsemi
23+
TO-251
8560
受权代理!全新原装现货特价热卖!
询价
深圳市亿联芯电子科技有限公司
AP18N20GH
APEC/富鼎
2023+
TO252
52000
原厂全新正品旗舰店优势现货
询价
深圳市科恒伟业电子有限公司
AP18N20GH
APEC/富鼎
2517+
TO-252
8850
只做原装正品现货或订货假一赔十!
询价
深圳市明嘉莱科技有限公司
AP18N20T
APM
21+
明嘉莱只做原装正品现货
2510000
TO-263-3L
询价
深圳市壹芯创科技有限公司
AP18N20GP
ADVANCED
22+
TO-220-3P
8200
原装现货库存.价格优势!!
询价
深圳市中联芯电子有限公司
AP18N20GJ-HF
VBsemi
25+
TO251
11000
原装正品 有挂有货 假一赔十
询价
深圳市百诺芯科技有限公司
AP18N20GI-HF
APEC/富鼎
23+
TO-220F
24190
原装正品代理渠道价格优势
询价
深圳市恒创达实业有限公司
AP18N20GS
APEC
16+
你问我
10000
只说一遍APEC富鼎正规授权代理证件齐全进口原装假一罚
询价
深圳市勤思达科技有限公司
AP18N20GH
SR
24+
TO252
5000
全新原装正品,现货销售
询价
洪芯国际半导体（深圳）有限公司
AP18N20GS-HF
富鼎
26+
原厂原封装
86720
全新原装正品价格最实惠 假一赔百
询价

AP18N20芯片相关品牌

AP18N20规格书下载地址

AP18N20参数引脚图相关

AP18N20数据表相关新闻

  • ap1722-28pc100%原装正品

    ap1722-28pc100%原装正品，领先电子元件代理授权

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  • AP1538SG-13，开关稳压器

    AP1538SG-13，开关稳压器

    2019-10-23

  • AP2001-单片双通道PWM控制器

    特点 - 双PWM控制电路 - 工作电压可高达至50V - 可调节死区时间控制（DTC） - 欠压锁定（UVLO）保护 - 短路保护（SCP） - 可变振荡器频率...... 500KHz的最大 - 2.5V参考电压输出 - 16引脚PDIP和​​SOP封装 AP2001集成脉宽调制（PWM）到一个单一芯片的控制电路，主要电源稳压器的设计。所有的功能包括一个片上2.5V参考输出，两个误差放大器，可调振荡器，两个死区时间比较器，欠压

    2012-12-4

  • AP2002-同步PWM控制器

    特点 - 单或双电源应用 - 0.8V+1.0％的参考电压。 - 快速瞬态响应。 - 同步运行的高效率（95％） - 片上电源良好，过电压保护。 - 体积小，具有最少的外部元件 - 软启动和启用功能 - 工业级温度范围 - 欠压锁定功能 - SOP- 14L封装 应用 - 微处理器核心供电 - 低成本的同步应用 - 电压调节模块（VRM） - 解除武装，复员和重返社会终止用

    2012-12-4

  • AP2004-PWM降压控制器

    特点 - PWM降压控制电路 - 工作电压可高达至27V - 欠压锁定（UVLO）保护 - 短路保护（SCP） - 软启动电路 - 可变振荡器频率 - 300KHz时最大 - 1.25V参考电压输出 - 8引脚PDIP和​​SOP封装 应用 - 背光逆变器 - 液晶显示器 - XDROM，XDSL产品 - 直流/直流转换器，电脑等 AP2004集成脉

    2012-12-4

  • AP1701-3引脚微处理器复位电路

    AP1701/2/3/4用于微处理器（μP）监控电源监控电路μP和数字系统。他们提供优良的省去了外部电路的可靠性和低成本组件和+5 V的使用时的调整，+3.3 V，+3.0 V供电的电路。这些电路执行一个单一的功能：他们断言只要VCC电源电压复位信号低于预设的阈值下降，保持VCC已上升后，至少140ms的断言复位阈值以上。复位阈值适用于各种供应的运作电压可。 AP1701/2/3/4有推拉输出。 AP1701/3有一个活跃的低复位输出，而AP1702/ 4有一个活跃的RESET输出高。复位比较忽略VCC上快速瞬变，并输出保证在正确的逻辑国家的VCC低至1V。低电源电流在便携式使用AP1701/

    2012-11-22

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