型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
AOWF4S60

600V4AaMOSTMPowerTransistor

GeneralDescription TheAOW4S60&AOWF4S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanchecapabilitythes

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AOSMD

600V4AaMOSTMPowerTransistor

GeneralDescription TheAOT4S60&AOB4S60&AOTF4S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanchec

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AOSMD

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS •Serverandtelecompowersupplies •Switchmodepowersupplies(SMPS) •Powerfactorcorrection

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

iscN-ChannelMOSFETTransistor

DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=4A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.9Ω(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lot

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

600V4AaMOSPowerTransistor

GeneralDescription TheAOT4S60&AOB4S60&AOTF4S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanchec

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AOSMD

Materialspecification

文件:48.89 Kbytes Page:4 Pages

FERROXCUBEFERROXCUBE INC.

飞磁

FERROXCUBE

AOWF4S60产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AOWF4S60

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 600V 4A TO262F

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    aMOS™

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2024-4-19 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
AOS/万代
23+
NA/
455
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
AOS
2016+
TO-262F
6528
房间原装进口现货假一赔十
AOS
22+
NA
6878
加我QQ或微信咨询更多详细信息,
AOS
20+
TO-262F
3000
AOS/万代
22+
TO262F
25000
AOS/万代全系列在售
AOS
23+
TO-262
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
AO
23+
TO-262
6000
原装正品,支持实单
AOS/万代
TO-262F
265209
假一罚十原包原标签常备现货!
AOS-美国万代
24+25+/26+27+
车规-元器件
9328
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
AOS/万代
2019+
NA
18000
原厂渠道 可含税出货

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