型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
AOTF6N90

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.24847 Mbytes Page:4 Pages

DOINGTER

杜因特

AOTF6N90

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:296.37 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

AOTF6N90

HVMOS Family Report

文件:43.7 Kbytes Page:6 Pages

AOSMD

万国半导体

AOTF6N90

高压MOSFET (500V - 1000V)

AOS

美国万代

6.2 Amps, 900 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION The UTC 6N90 is an N-channel enhancement mode Power FET using UTC’s advanced technology to provide costumers with planar stripe and DMOS technology. This technology allows a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand high energy pulse in the

UTC

友顺

N-Channel Power MOSFET

文件:403.88 Kbytes Page:8 Pages

NELLSEMI

尼尔半导体

6.2A, 900V N-CHANNEL POWER MOSFET

文件:203.47 Kbytes Page:5 Pages

UTC

友顺

900V N-Channel MOSFET

文件:789.54 Kbytes Page:9 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

N-CHANNEL POWER MOSFET

文件:251.69 Kbytes Page:5 Pages

UTC

友顺

AOTF6N90产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AOTF6N90

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 900V 6A TO220F

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2026-1-27 16:05:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
AOS
10+
TO-220F
142
AOS
26+
SOT23-5
86720
全新原装正品价格最实惠 假一赔百
AOS/万代
23+
TO220F
30000
原装正品假一罚十,代理渠道价格优
Alpha & Omega Semiconductor In
22+
TO2203
9000
原厂渠道,现货配单
AOS/万代
25+
TO220F
25000
AOS/万代全系列在售
AOT
24+
TO-220F
19719
公司现货库存 支持实单
AOS(万代)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
AOS(万代)
25+
标准封装
10740
我们只是原厂的搬运工
AOT
2026+
TO-220F
311
原装正品,欢迎来电咨询!
AOS
2024+
N/A
70000
柒号只做原装 现货价秒杀全网

AOTF6N90数据表相关新闻