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FQA6N90价格

参考价格：￥8.3472

型号：FQA6N90C_F109 品牌：Fairchild 备注：这里有FQA6N90多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，FQA6N90批发/采购报价，FQA6N90行情走势销售排行榜，FQA6N90报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FQA6N90

900V N-Channel MOSFET

General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs

FAIRCHILD

仙童半导体

FQA6N90

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=6.4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=900V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =2.3Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conv

ISC

无锡固电

FQA6N90

900V N-Channel MOSFET

ONSEMI

安森美半导体

FQA6N90C

isc N-Channel MOSFET Transistor

·FEATURES ·Low drain-source on-resistance: RDS(ON) =2.0Ω (typ.) ·Enhancement mode: VGS(th) = 3.0 to 5.0V (VDS = 10 V, ID=0.25mA) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ·DESCRITION ·Switching Voltage Regulators

ISC

无锡固电

FQA6N90C

900V N-Channel MOSFET

Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology hasbeen especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand hig

FAIRCHILD

仙童半导体

FQA6N90C_F109

Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 900 V, 6 A, 2.3 Ω, TO-3P

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。 •6A, 900V, RDS(on)= 2.3Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 3A栅极电荷低（典型值：30nC)\n•低 Crss（典型值11pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•符合 RoHS 标准\n•RoHS compliant;

ONSEMI

安森美半导体

FQA6N90C-F109

功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，900 V，6 A，2.3 Ω，TO-3P

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。 •6A, 900V, RDS(on)= 2.3Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 3A栅极电荷低（典型值：30nC)\n•低 Crss（典型值11pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•符合 RoHS 标准\n•RoHS compliant;

ONSEMI

安森美半导体

FQA6N90C

900V N-Channel MOSFET

文件：797.3 Kbytes Page：8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FQA6N90C

900V N-Channel MOSFET

文件：789.54 Kbytes Page：9 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FQA6N90C_06

900V N-Channel MOSFET

文件：789.54 Kbytes Page：9 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FQA6N90C_07

900V N-Channel MOSFET

文件：797.3 Kbytes Page：8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FQA6N90C_F109

900V N-Channel MOSFET

文件：797.3 Kbytes Page：8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FQA6N90C_F109

900V N-Channel MOSFET

文件：789.54 Kbytes Page：9 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FQAF6N90

900V N-Channel MOSFET

Features • 4.5A, 900V, RDS(on) = 1.9Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 40 nC) • Low Crss ( typical 17 pF) • Fast switching • 100 avalanche tested • Improved dv/dt capability

FAIRCHILD

仙童半导体

FQI6N90

900V N-Channel MOSFET

General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology is especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand a

FAIRCHILD

仙童半导体

FQP6N90

900V N-Channel MOSFET

General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are product using Fairchilds proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advance technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstan

FAIRCHILD

仙童半导体

SSP6N90A

Advanced Power MOSFET

文件：648.96 Kbytes Page：7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FQA6N90产品属性

  • 类型

    描述

  • Compliance：

    Pb-freeHalide free

  • Status：

     Active  

  • Description：

     N-Channel QFET® MOSFET 900V

  • Channel Polarity：

    N-Channel

  • Configuration：

     

  • V(BR)DSS Min (V)：

    900

  • VGS Max (V)：

    ±30

  • VGS(th) Max (V)：

    5

  • ID Max (A)：

    6

  • PD Max (W)：

    198

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：

    2300

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：

    30

  • Ciss Typ (pF)：

    1360

  • Package Type：

    TO-3P-3LD / EIAJ SC-65

FQA6N90供应商更多...

更新时间：2026-5-14 11:48:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
FQA6N90C-F109
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